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Technology

技術情報

磁性薄膜電力センサ

SIRCデバイスとは

  • 飛躍的に小型・軽量・低消費
  • 交流電力、直流電力、有効電力、皮相電力共に精度良く計測
  • きめ細かな消費電力管理が可能
  • 非常に多機能(直流から高周波、高調波、力率等)

非常に簡単な構造であるにも関わらず、センサ自身に電流センシング機能、電圧センシング機能、乗算機能を有し、リアルタイムに消費電力値を電気信号として出力することが特長

SIRCセンサの特徴

I. 使用温度範囲-20℃~120℃(室温に対して+10%~-20%程度変化)
センサ材料がパーマロイ(NiFe合金)ですので、キュリー温度付近 (500℃程度)まで動作可能。 申請中の特許技術を用いることにより温度補正を行い一定値を得ることが出来る。
n. 湿度影響なし(吸湿性なし)
m. 応答速度リアルタイム
IV. 測定範囲 (※任意に設定可能)(一例)
周波数:0[Hz)~10[kHz)程度
電圧(実効値) :100[V)以下
電流(実効値) :士15[A]以下
電力: 1[W]〜1500[W]以下、
V.測定分解能低電圧時: 1[W]程度(20[V]以下)
高電圧時: 2[W]程度(20[V]以上)
VI.センサ抵抗750Ω

既存製品と比較して、
どの周波数にも対応でき、
電力の大小に関わらずコストは一定。

どの周波数帯域でも検知速度が早く、
存続品の様に周波数が上がれば
応答速度が落ちることはない。

SIRC電力センサ
(電力を検出するセンサ)

■多機能

  • 電力(直流から高周波、高調波電力)

  • 力率

  • 電流

他センサとの比較

SIRCデバイス 一般MRセンサ ホールセンサ CT シャント抵抗 備考
小型・薄型化 × × ソリッドステートデバイスなので小型化が容易
DC対応 × CTは基本的にAC電流センシング
温度特性 × SIRCの温度特性の直線性が良好
高周波測定 × × 200kHzまでは実証済み
ESD(Electro-Static Discharge) × ホール素子は半導体なので弱い MR素子は強い
外部磁界の影響 × × シールド、外部磁界キャンセル技第でSIRCセンサは実用化達成
ゼロ点復帰特性 × × CT/シャント抵抗は磁気素子ではないのでゼロ点に復帰問題は存在しない
耐過電流 × × × 定格電流に対する過電流の耐性が高い